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來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編制自zdkorea，謝謝。

三星電子駁斥了有關其計劃為 HBM（高帶寬內存）引入 MUF（模制底部填充）工藝的報道，稱這“不屬實”。

13日，路透社援引多位消息人士的話稱，“三星電子將使用MUF技術來制造最新的HBM”，并補充道，“這項技術最先被我們的競爭對手SK海力士使用，這對三星來說多少是一個打擊”電子產品的驕傲。”報道稱。

HBM 垂直堆疊多個 DRAM，并通過 TSV（通過硅電極）將它們連接起來。目前，三星電子一直在采用在DRAM之間插入NCF（非導電粘合膜）并進行熱壓縮的工藝。

另一方面，SK海力士正在采用MR-MUF（大規模回流成型底部填充）技術，該技術加熱并焊接整個HBM，并通過在芯片之間插入液體保護材料來填充間隙。MR-MUF技術被評價為具有高可靠性和生產效率，因為與NCF工藝相比，熱量施加均勻。

路透社報道稱，為此，三星電子正準備引入MUF工藝。其依據是最近訂購了MUF相關設備，并且也在與日本Nagase等材料公司進行洽談。

路透社稱，“根據幾位分析師的說法，三星電子的 HBM3（第 4 代 HBM）芯片生產良率約為 10-20%，而 SK 海力士則確保了約 60-70% 的良率。”“我們計劃同時使用 NCF以及芯片中的 MUF 技術。”

但三星電子對此予以反駁，稱“這不是真的”。

業界也認為三星電子將MUF技術引入HBM的可能性較低。誠然，三星電子正在追求引入MUF技術，但據了解，其意圖是將該技術用于服務器用大容量DRAM，例如256GB（千兆字節），而不是HBM。

此外，三星電子還投入了大量資金來推進 HBM 的 NCF 技術并擴大產能。在這種情況下，有人認為三星電子對于MUF工藝轉換進行額外投資的成本負擔太大。

HBM，競爭加劇

隨著主要存儲器半導體公司宣布的下一代高帶寬存儲器（HBM）生產時間表的臨近，這些公司正在加大力度提高良率。

3月12日消息，據業內人士透露，三星電子、SK海力士等主要存儲半導體公司正集中精力提高超精細工藝的精度，計劃在今年上半年量產下一代HBM HBM3E。年。

三星電子正在與國內外多家半導體設備公司合作，以降低缺陷率，并與他們一起探索工藝改進的多個方向。三星電子使用熱壓縮非導電薄膜 (TC-NCF) 至關重要，其中優化熱量和壓力是關鍵，據報道，正在與設備制造商進行討論，以提高這一步的準確性。面對SK海力士的競爭，三星電子在全公司范圍內集中力量，上個月出人意料地宣布了“Advanced TC-NCF”技術。該技術可以減少 TC-NCF 工藝中必要薄膜的厚度，從而在保持 HBM 高度的同時增加半導體層數。根據市場研究公司TrendForce的數據，三星電子去年在HBM市場的市場份額為38%，落后于SK海力士的53%。

SK海力士還投入大量精力進行研發，以保持在下一代市場的領先地位。與三星電子不同的是，SK 海力士采用了一種稱為大規模回流成型底部填充 (MR-MUF) 的工藝，并將研究重點放在改進對該工藝至關重要的液體材料上。一位公司官員解釋說：“MR-MUF工藝的良率取決于半導體之間使用的液體材料的特性。到目前為止，我們的主要重點是提高這種材料的質量。”

據了解，HBM行業龍頭SK海力士的HBM良率在60%左右。與一般 DRAM 超過 90% 的良率相比，這是較低的。與其他存儲器不同，HBM 需要復雜的額外工藝，即在半導體上鉆孔并使用硅通孔 (TSV) 垂直堆疊多個半導體，這意味著任何階段的缺陷都可能需要丟棄其他好的芯片以及有缺陷的芯片。每個步驟的收益率即使略有變化，也會極大地影響整體盈利能力。一位業內人士表示：“隨著HBM層數的增加，即使是1-2%的差異也可能導致數千億韓元的收入差異。”

美光取得英偉達HBM3e 供應資格

在人工智能（AI）和高效能運算（HPC）的影響下，近兩年高頻寬記憶體(HBM) 產品發展加速，也推動著記憶體廠商的營收成長。作為GPU大廠英偉達HBM 合作伙伴，SK 海力士目前在HBM 市場的處于技術領先的地位，并且大量供應HBM3 高頻寬記憶體用于英偉達的各種AI 芯片上。

根據韓國中央日報的報導，與SK 海力士在HBM3 遙遙領先不同，到了HBM3e 情況似乎出現了變化，美光和三星的加入讓市場競爭變得越來越激烈。2023 年美光、SK 海力士和三星先后都遞交了HBM3e 樣品給英偉達，用于下一代AI GPU 的資格測試。這也是英偉達為了保證下一代產品供應來源，規劃加入更多的供應商的計畫。

在三星、SK 海力士、美光三家供應商中，美光在2023 年7 月，推出了業界首款高頻寬超過1.2TB/s、插腳速度超過9.2GB/s、8 層堆疊24GB 容量的HBM3e，而且記憶體本身采用了1β（1-beta） 制程技術來生產制造。隨后美光透露，其HBM3e 樣品的性能更強，且功耗更低，實際效能超出了預期，也優于競爭對手，所以讓客戶大吃一驚后，也迅速下了訂單購買。美光還準備了12 層堆疊的36GB 容量HBM3e，在給定的堆疊高度下，容量增加了50%。

報導分析，美光之所以率先獲得英偉達采購，并將旗下的HBM3e 用于新一代的H200 AI 芯片上，使得美光近期競爭中攻上領先位置，憑借的是制程技術上的優勢。目前SK 海力士占據了54% 的HBM 市場，而美光僅為10%。但隨著手握英偉達的供應訂單的優勢，未來形勢可能對當前的龍頭-SK 海力士造成沖擊。

然而，市場預期，當前作為HBM 市場的領頭羊的SK 海力士自然也不會坐以待斃。近期已向英偉達遞送了新款12 層堆疊HBM3e 樣品，以進行產品驗證測試。近期，三星的官方消息的宣稱發展了同類型的產品，容量為36GB 的12 層堆疊HBM3e。由于下一代HBM4 可能要到在2026 年才問世，所以在此之前，預計HBM 市場競爭將會變得更加激烈。

三星獲AMD 驗證通過，將急起直追

TrendForce 資深研究副總吳雅婷表示，今年HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為HBM3，NVIDIA 新世代含B100 或H200 規格為最新HBM3e 產品。由于AI 需求高漲，英偉達（NVIDIA）及其他品牌GPU 或ASIC 供應緊俏，除了CoWoS 是供應瓶頸，HBM 亦同，主要是HBM 生產周期較DDR5 長，投片到產出與封裝完成需兩季以上。

吳雅婷表示， 目前NVIDIA現有主攻H100的記憶體解決方案為HBM3，SK海力士是最主要供應商，供應不足應付整體AI市場所需。至2023年底，三星以1Z納米產品加入NVIDIA供應鏈，盡管比重仍小，但可視為三星HBM3世代的首要斬獲。

三星是AMD長期重要策略供應伙伴，2024年第一季，三星HBM3產品陸續通過AMD MI300系列驗證，含8h與12h產品，故自2024年第一季以后，三星HBM3產品會逐漸放量。過去HBM3世代競爭，美光（Micron）始終沒有加入，僅兩大韓系供應商獨撐，且SK海力士HBM市占率最高，三星將數季MI300逐季放量，市占率將急起直追。

2024年起，市場關注焦點即由HBM3轉向HBM3e，下半年逐季放量，逐步成為HBM市場主流。TrendForce調查，第一季SK海力士率先通過驗證，美光緊追，第一季底遞交HBM3e量產產品，以搭配第二季末鋪貨的NVIDIA H200。三星遞交樣品時程較另兩家稍晚，HBM3e將于第一季底通過驗證，第二季開始出貨。三星HBM3驗證也有突破，且HBM3e驗證若無意外也即將完成，意即出貨市占今年將與SK海力士拉近差距。

三星HBM 3良率僅為10%？轉投SK海力士陣營！

三星電子五位知情人士表示，該公司計劃使用競爭對手 SK 海力士 (SK Hynix) 主導的芯片制造技術，這家全球頂級內存芯片制造商正尋求在生產用于驅動人工智能的高端芯片的競爭中迎頭趕上。

隨著生成式人工智能的日益普及，對高帶寬內存（HBM）芯片的需求不斷增長。但三星與同行SK海力士和美光科技不同，由于沒有與人工智能芯片領導者 Nvidia進行任何交易而引人注目。

三星落后的原因之一是其決定堅持使用稱為非導電薄膜（NCF）的芯片制造技術，這會導致一些生產問題，而海力士則改用大規模回流模制底部填充（MR-MUF）方法來解決NCF的弱點據分析師和行業觀察人士稱。

然而，三位直接了解此事的消息人士稱，三星最近發布了用于處理 MUF 技術的芯片制造設備的采購訂單。

“三星必須采取一些措施來提高其 HBM（生產）產量......采用 MUF 技術對三星來說有點自負，因為它最終遵循了 SK 海力士首先使用的技術，”一位消息人士稱。

幾位分析師表示，三星的 HBM3 芯片生產良率約為 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生產良率約為 60-70%。

最新版本的 HBM 芯片 HBM3 和 HBM3E 需求旺盛。它們與核心微處理器芯片捆綁在一起，幫助處理生成人工智能中的大量數據。

三星還在與材料制造商進行洽談，其中包括日本長瀨一位消息人士稱，為了采購 MUF 材料，使用 MUF 的高端芯片的大規模生產最早可能要到明年才能準備就緒，因為三星需要進行更多測試。

三位消息人士還表示，三星計劃在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技術。

三星表示，其內部開發的NCF技術是HBM產品的“最佳解決方案”，將用于其新的HBM3E芯片中。三星在一份聲明中表示：“我們正在按計劃開展 HBM3E 產品業務。”

英偉達和長瀨拒絕置評。

由于信息未公開，所有消息來源均要求匿名。

三星計劃使用 MUF 突顯了其在 AI 芯片競爭中面臨的越來越大的壓力，根據研究公司 TrendForce 的數據，由于 AI 相關需求，HBM 芯片市場今年將增長一倍多，達到近 90 億美元。

非導電薄膜芯片制造技術已被芯片制造商廣泛使用，以在緊湊的高帶寬存儲芯片組中堆疊多層芯片，因為使用熱壓縮薄膜有助于最小化堆疊芯片之間的空間。

但隨著層數的增加，制造變得復雜，粘合材料經常會出現一些問題。三星表示，其最新的 HBM3E 芯片有 12 層芯片。芯片制造商一直在尋找替代方案來解決這些弱點。

SK Hynix 領先其他公司成功轉向大規模回流模制底部填充技術，成為第一家向 Nvidia 供應 HBM3 芯片的供應商。

KB Securities 分析師 Jeff Kim 表示，SK 海力士今年在 HBM3 和 Nvidia 更先進的 HBM 產品方面的市場份額預計將超過 80%。

美光上個月加入了高帶寬內存芯片競賽，宣布其最新的 HBM3E 芯片將被 Nvidia 采用，為后者的 H200 Tensor 芯片提供動力，該芯片將于第二季度開始發貨。

據四位消息人士之一和另一位知情人士透露，三星的 HBM3 系列尚未通過 Nvidia 的供貨交易資格。

它在人工智能芯片競賽中的受挫也引起了投資者的注意，其股價今年下跌了7%，落后于SK海力士和美光，后者分別上漲了17%和14%。

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